WEKO3
アイテム
Structural and Electronic Properties of Solution-Processed Amorphous Indium-Silicon-Oxide for High Performance Thin Film Transistors
http://hdl.handle.net/10236/0002000207
http://hdl.handle.net/10236/000200020797e3ed93-691e-4917-a1d5-591abaa7eab7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Endah Kinarya Palupi_Graduate School of Science and Technology (Dissertation Summary).pdf (13 KB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||
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| 公開日 | 2024-02-08 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | Structural and Electronic Properties of Solution-Processed Amorphous Indium-Silicon-Oxide for High Performance Thin Film Transistors | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | eng | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||||
| 資源タイプ | thesis | |||||||
| 著者 |
Endah, Kinarya Palupi
× Endah, Kinarya Palupi
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| 内容記述 | ||||||||
| ja | ||||||||
| 学位の専攻分野の名称：博士（工学） 学位記番号：甲理第217号（文部科学省への報告番号甲第793号） 学位授与年月日：2023年３月16日 |
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