WEKO3
アイテム
Structural and Electronic Properties of Solution-Processed Amorphous Indium-Silicon-Oxide for High Performance Thin Film Transistors
http://hdl.handle.net/10236/00030968
http://hdl.handle.net/10236/00030968e7dac0ff-1c79-44a7-a66e-3b5059515922
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
論文要旨 (350.2 kB)
|
|
| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-05-26 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Structural and Electronic Properties of Solution-Processed Amorphous Indium-Silicon-Oxide for High Performance Thin Film Transistors | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | 高性能薄膜トランジスタ用の溶液処理された非晶質インジウム- シリコン-酸化物の構造的および電子的特性 | |||||
| 著者 |
エンダー, キナリヤ パルピ
× エンダー, キナリヤ パルピ× Endah , Kinarya Palupi |
|||||
| 内容記述 | ||||||
| 値 | 学位の専攻分野の名称 : 博士（工学） 学位記番号 : 甲理第217号（文部科学省への報告番号甲第793号） 学位授与年月日 : 2023年3月16日 |
|||||
