WEKO3
アイテム
4H-SiC単結晶成長における基底面転位発生機構の解明
http://hdl.handle.net/10236/00028076
http://hdl.handle.net/10236/00028076aeb766f1-6f29-4384-b1b9-b5fca6b8ca5f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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論文要旨 (420.4 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-07-20 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 4H-SiC単結晶成長における基底面転位発生機構の解明 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
中野, 貴博
× 中野, 貴博 |
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| 内容記述 | ||||||
| 値 | 2018年度修士論文要旨.関西学院大学大学院理工学研究科物理学専攻大谷昇研究室 | |||||
