WEKO3
アイテム
4H-SiC単結晶(000−1)⾯ファセット上のステップ密度アンジュレーションの研究
http://hdl.handle.net/10236/00028067
http://hdl.handle.net/10236/0002806759171598-0320-49b0-a068-bc24d67857d5
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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論文要旨 (321.8 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||
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| 公開日 | 2019-07-20 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 4H-SiC単結晶(000−1)⾯ファセット上のステップ密度アンジュレーションの研究 | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||||
| 資源タイプ | thesis | |||||||
| 著者 |
新家, 宏明
× 新家, 宏明
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| 内容記述 | ||||||||
| 2018年度修士論文要旨.関西学院大学大学院理工学研究科物理学専攻大谷昇研究室 | ||||||||
