WEKO3
アイテム
昇華再結晶法による4H-SiC単結晶成長における種結晶/成長結晶界面の結晶欠陥評価
http://hdl.handle.net/10236/00028064
http://hdl.handle.net/10236/000280644373b29e-b289-4e92-9968-f634563392d7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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論文要旨 (281.1 kB)
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| アイテムタイプ | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-07-20 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 昇華再結晶法による4H-SiC単結晶成長における種結晶/成長結晶界面の結晶欠陥評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
塩浦, 健太郎
× 塩浦, 健太郎 |
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| 内容記述 | ||||||
| 値 | 2018年度修士論文要旨.関西学院大学大学院理工学研究科物理学専攻大谷昇研究室 | |||||
