WEKO3
アイテム
顕微ラマン分光法による4H-SiCエピタキシャル薄膜/基板界面の歪み評価
http://hdl.handle.net/10236/00026651
http://hdl.handle.net/10236/00026651a5d7878c-228a-4cb8-82a4-a110f34d5994
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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論文要旨 (188.0 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-03-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 顕微ラマン分光法による4H-SiCエピタキシャル薄膜/基板界面の歪み評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
福永, 大輔
× 福永, 大輔 |
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| 内容記述 | ||||||
| 値 | 2016年度修士論文要旨.関西学院大学大学院理工学研究科物理学専攻大谷昇研究室 | |||||
