WEKO3
アイテム
高濃度窒素添加4H-SiC 単結晶のファセットモフォロジーと積層不整に関する研究
http://hdl.handle.net/10236/00026644
http://hdl.handle.net/10236/00026644661316fa-5e6d-49ba-9713-367153c9ba03
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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論文要旨 (253.7 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-03-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高濃度窒素添加4H-SiC 単結晶のファセットモフォロジーと積層不整に関する研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
大友, 浩平
× 大友, 浩平 |
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| 内容記述 | ||||||
| 値 | 2016年度修士論文要旨.関西学院大学大学院理工学研究科物理学専攻大谷昇研究室 | |||||
